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半導(dǎo)體分立器件測試儀型號:CS2935

更新時間:2021-01-29點擊次數(shù):572

半導(dǎo)體分立器件測試儀型號:CS2935
 
一、產(chǎn)品特點:
測試品種覆蓋面廣、測試精度、電參數(shù)測試全、速度快、有良好的重復(fù)性和一致性、工作穩(wěn)定可靠,具有保護系統(tǒng)和被測器件的能力。測試儀由計算機操控,測試數(shù)據(jù)可存儲打印。除具有點測試功能外,還具有曲線掃描功能(圖示儀功能)。系統(tǒng)軟件功能全、使用靈活方便、操作簡單。系統(tǒng)軟件穩(wěn)定可靠、硬件故障率低,在實際測試應(yīng)用中各項技術(shù)指標(biāo)均可達到器件手冊技術(shù)指標(biāo)及國標(biāo)要求。
二、測試參數(shù)
1. 二管      
VF、IR、BVR
2.  穩(wěn)壓(齊納)二管   
VF、IR、BV Z
3.  晶體管       Transistor(NPN型/PNP型)
      VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON
4.   可控硅整流器(晶閘管)   
IGT、VGT、 IH、IL 、VTM 
5.  場效應(yīng)管   
IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS


6.  光電耦合器       
VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT
*7.三端穩(wěn)壓器
VO、SV、ID、IDV

三、測試參數(shù)范圍
晶體管
 

 

測試參數(shù)
測試范圍
ICEO
ICBO
IEBO
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
VCE(sat)
VBE(sat)
0.10V-30V
VBE(VBE(on))
0.10V-30V
hFE
1-99999
V(BR)EBO
0.10V-30V
V(BR)CEO
V(BR)CBO
0.       10V-50V
50V-1499V

 

 
二管
 

 

測試參數(shù)
測試范圍
IR
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
VF
0.10V-30V
V(BR)
1V-50V
 
50V-1499V

 

 
穩(wěn)壓二管
 

 

測試參數(shù)
測試范圍
IR
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
VF
0.10V-30V
VZ
0.10V-50V

 

 
三端穩(wěn)壓器
 

 

測試參數(shù)
測試范圍
VO
0.10V-30V
SV
0.10mV-1V
ID
1uA-10mA
IDV
1uA-10mA

 

 
MOSFET
 

 

測試參數(shù)
測試范圍
VGS(th)
0.10V-30V
gfs
0.1mS-1000S
RDS(on)
10mΩ-100KΩ
VDS(on)
0.10V-50V
IGSS
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
IDSS
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
ID(on)
0-50A
V(BR)GSS
0.1V-30V
V(BR)DSS
0.1V-1499V

 

 
光耦
 

 

測試參數(shù)
測試范圍
VF
0.10V-30V
IR
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
VCE(sat)
0.10V-50V
CTR
0.1%-1000%
ICEO
與IR參數(shù)相同
V(BR)ECO V(BR)CEO
0.10V-50V
50V-1499V

 

 
可控硅
 

 

測試參數(shù)
測試范圍
IGT
10uA-200mA
VGT
0.10V-30V
IH
10uA-1A
IL
10uA-1A
VTM
0.10V-50V

 

 
四、技術(shù)指標(biāo)
1、源的指標(biāo)
主壓流源 (VA)
      電壓:
 

 

設(shè)定范圍(V)
±(0~10)
±(14.6mV+0.5%set)
±(10~50)
±(73.2mV+0.5%set)

 

 
 
電流:
 
 

 

測量范圍
±(0-50)uA
±(244nA+0.5% set)
±(50-500) uA
±(2.44uA+0.5% set)
±(0.5-5) mA
±(24.4uA+0.5% set)
±(5-50) mA
±(244uA+0.5% set)
±(50~500) mA
±(2.44mA+0.5%set)
±(0.5~5)A(脈沖)
±(24.4mA+0.5%set)
±(5-50)A(脈沖)
±(244mA+0.5%set)

 

 
壓流源 (VB)
      電壓:
 

 

設(shè)定范圍(V)
±(0~10)
±(14.6mV+0.5%set)
±(10~30)
±(43.8mV+0.5%set)

 

 
電流:
 

 

測量范圍
±(0-50)uA
±(244nA+0.5% set)
±(50-500) uA
±(2.44uA+0.5% set)
±(0.5-5) mA
±(24.4uA+0.5% set)
±(5-50) mA
±(244uA+0.5% set)
±(50~500) mA
±(2.44mA+0.5%set)
±(0.5~5)A(脈沖)
±(24.4mA+0.5%set)
±(5-50)A(脈沖)
±(244mA+0.5%set)

 

 
壓源(HV)
 

 

設(shè)定范圍(V)
0~1500
±(1.22V+1%set)

 

*1500V時 大輸出為5mA。
2、電壓表的指標(biāo)
測漏電流
 

 

測量范圍
±(0~200)nA
±(2.44nA+0.5% Rdg)
±(0.2-2)uA
±(24.4nA+0.5% Rdg)
±(2-20)uA
±(244nA+0.5% Rdg)
±(20~200) uA
±(2.44uA+0.5% Rdg)
±(0.2~2)mA
±(24.4uA+0.5% Rdg)
±(2-20)mA
±(244uA+0.5% Rdg)

 

測試電壓
 

 

設(shè)定范圍(V)
±(0~10)
±(3mV+0.5% Rdg)
±(10~50)
±(15mV+0.5% Rdg)

 

測擊穿電壓
 

 

設(shè)定范圍(V)
(0~50)V/10mA
±(36.6mV+0.25% Rdg)
(50~1500)V/1mA
±(610.3mV+1% Rdg)

 

放大倍數(shù)
 

 

設(shè)定范圍(V)
1~9999
1%
 

 

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